作者/星空下的烤包子

编辑/菠菜的星空

排版/星空下的炸鸡

熟悉半导体领域的朋友都知道，随着科技的进步，半导体材料已经演化到了第三代，即碳化硅（SiC）和氮化镓材料。而这其中，SiC已经乘着新能源和电动车的东风，开始了加速应用的模式，SiC功率组件也被称为半导体和新能源的交汇点。

因此，老牌半导体玩家们都在SiC这条赛道上一路狂奔。

就比如安森美半导体在美国成立了一座新的SiC制造厂，有助于其全面控制SiC供应链（从原材料到封装的组件）。意法半导体也宣布将建造一座SiC基板制造厂，来满足汽车工业对SiC组件需求量的增长，特斯拉的Model 3也是搭载了意法半导体的SiC功率零组件。

国内这两年对于半导体产业的支持力度就更不用说了，逆全球化的时代，保证核心产品供应安全才是第一位的。士兰微（600460）斥资15亿元，启动SiC功率零组件生产线项目，三安光电（600703）也加大了对SiC芯片的采购力度。

但是火热归火热，残酷的业绩表现给不少玩家头上都浇了一碰冷水。

专注于SiC基板的研发、制造和销售的天岳先进（688234）就公告2022年净亏损至少有1.55亿元，露笑科技（002617）更是宣称由于前期的高投入和研发成本，去年也是由盈转亏（亏损2.3-2.95亿元）。

就这样，国内SiC领域出现了人人喊好，却人人都不赚钱的现象。今天我们就走进SiC的大赛道，看看哪个环节蕴藏着宝藏。

一、高价值在何方？往上游看

如果我们把SiC的产业链打开，你就会发现主要包括衬底、外延、器件设计和制造、封测等环节，其中衬底经过外延生长得到外延片，外延片经过光刻、刻蚀、离子注入、沉积等步骤制造成器件，环环相扣。

这么长的产业链，究竟哪里才是高价值的环节呢？

根据专业机构的数据，衬底和外延由于价格比较昂贵，光这两者已经占据了SiC成本的70%。相较于隔壁的硅（Si）器件，你就可以看出反差。Si的晶圆制造直接占了一半以上的成本，硅片衬底才有7%。

二、外延片，兵家必争之地

所以，本着擒贼先擒王的原则，我们就来看一下SiC外延片市场。从技术领域来看，在低、中压领域，目前外延片核心参数厚度、掺杂浓度目前已经可以做到比较良好的水平。但在高压领域，外延片需要攻克的技术难关还有很多。

而在产业化的道路上，国际巨头（如Wolfspeed、昭和电工）等多数是IDM公司，而且占据绝大多数的市场份额，但国内玩家也在不遗余力的奋起直追，比如被华为投资的瀚天天成，已经可提供标准的3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片。

除此之外，号称国内第一家从事SiC外延片市场营销、研发和制造的民营企业，也开始提前布局8英寸下一代SiC工艺关键技术。此外，后晋者希科半导体2万片的SiC外延片项目投产，未来将朝着5万片的目标前进。

如果沿着外延片的市场再深挖一步，即背后的外延片主要设备，你就会发现这个市场基本也被国外玩家所垄断，而且各有特点，比如以单片机为主的意大利LPE、产能规模较大的德国Aixtron、以技术先进为宣传手段，设备价格昂贵的日本TEL。

而就在这几天，国内晶盛机电宣布成功发布6英寸双片式SiC碳化硅外延设备，标志着晶盛机电在第三代半导体领域取得重大突破，单台产能可以增加70%以上。晶盛机电去年的营收和净利润也都同比增长超过60%以上，实现了设备研发和业绩增长的双赢。

三、需求如何拉动

首先，据机构预测，五年之后的全球SiC功率器件的市场规模将突破60亿美元，这几年的复合增长率超过30%，汽车碳化硅作为第一应用市场，它所吃掉的“蛋糕”也将更多。

在汽车领域，逆变器、电源转化系统、车载充电系统都是SiC施展拳脚的地方，其中，逆变器所占据的SiC价值量约为83%，而受益于电动车的高速增长，SiC的需求量也就这么起来了。

可以说，未来是得SiC者的得天下，虽然目前属于国际巨头垄断得时代，但国内玩家自然也不想放过这样一块肉。最近国内玩家的一些技术突破性新闻就是最好的例证。

此外，关于不少玩家最关心的成本问题，专业机构预测，未来随着衬底玩家的技术进步、产能进一步扩张，2025 年6 英寸导电型衬底价格有望降至600美元以下，这将使SiC的性价比更高。

所以，突破核心技术，加速量产进程，是摆在每个国内玩家面前的十二字箴言。

注：本文不构成任何投资建议。股市有风险，入市需谨慎。没有买卖就没有伤害。